SFH320FA-3资料

SFH 320SFH 320 FANPN-Silizium-Fototransistor im

®

SMT TOPLED-Gehäuse

Silicon NPN Phototransistor in

®

SMT TOPLED-Package

SFH 320SFH 320 FA

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

qSpeziell geeignet für Anwendungen im

Features

qEspecially suitable for applications from

qqqq

Bereich von 380 nm bis 1150 nm

(SFH 320) und bei 880 nm (SFH 320 FA)Hohe LinearitätP-LCC-2 GehäuseGruppiert lieferbar

für alle Lötverfahren geeignet

qqqq

380 nm to 1150 nm (SFH 320) and of880 nm (SFH 320 FA)High linearity

P-LCC-2 packageAvailable in groups

Suitable for all soldering methods

Anwendungen

qMiniaturlichtschranken für Gleich- undWechsellichtbetriebqLochstreifenleserqIndustrieelektronik

q“Messen/Steuern/Regeln”Semiconductor Group

1

Applications

qMiniature photointerruptersq punched tape readersqIndustrial electronics

qFor control and drive circuits

01.97

fplf6724fpl06724元器件交易网www.cecb2b.com

SFH 320SFH 320 FA

TypTypeSFH 320SFH 320-3SFH 320-4BestellnummerOrdering CodeQ62702-P0961Q62702-P390Q62702-P1606Typ (*vorher)Type (*formerly)SFH 320 FA(*SFH 320 F)SFH 320 FA-3(*SFH 320 F-3)SFH 320 FA-4(*SFH 320 F-4)BestellnummerOrdering CodeQ62702-P0988Q62702-P393Q62702-P1607Grenzwerte

Maximum RatingsBezeichnungDescriptionBetriebs- und LagertemperaturOperating and storage temperature rangeKollektor-EmitterspannungCollector-emitter voltageKollektorstromCollector currentKollektorspitzenstrom,τ <10 µsCollector surge currentVerlustleistung,TA = 25°CTotal power dissipationWärmewiderstand für Montage auf PC-BoardThermal resistance for mounting on pcbSymbolSymbolWertValue– 55...+ 1003515751650EinheitUnit°CVmAmAmWK/WTop;TstgVCEICICSPtotRthJASemiconductor Group2

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SFH 320SFH 320 FA

Kennwerte(TA = 25°C,λ = 950 nm)CharacteristicsBezeichnungDescriptionWellenlänge der max. FotoempfindlichkeitWavelength of max. sensitivitySpektraler Bereich der FotoempfindlichkeitS = 10 % vonSmaxSpectral range of sensitivityS = 10 % ofSmaxSymbolSymbolSFH 320λS maxλ860WertValueSFH 320 FA900nmEinheitUnit380...1150730...1120nmBestrahlungsempfindliche Fläche (∅240 µm)ARadiant sensitive areaAbmessung der ChipflächeDimensions of chip areaAbstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-flächeDistance chip front to case surfaceHalbwinkelHalf angleKapazität,VCE = 0 V,f = 1 MHz,E= 0CapacitanceDunkelstromDark currentVCE = 25 V,E= 00.0450.45×0.450.5...0.70.0450.45×0.450.5...0.7mm2mm×mmmmL×BL×WHϕ±605.01 (≤200)±605.01 (≤200)Graddeg.pFnACCEICEOSemiconductor Group3

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SFH 320SFH 320 FA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischenZiffern gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguishedby arabian figures.BezeichnungDescriptionSymbolSymbolSFH320/FAFotostrom,λ =950 nmPhotocurrentEe = 0.1 mW/cm2,VCE = 5 VSFH 320:Ev = 1000 Ix, Normlicht/standardlight A,VCE = 5 VAnstiegszeit/AbfallzeitRise and fall timeIC = 1 mA,VCC = 5 V,RL = 1 kΩ-2WertValue-3-4EinheitUnitIPCEIPCEtr, tf≥ 1616...3242025...506507≥4010008µAµAµs76Kollektor-Emitter-VCEsatSättigungsspannungCollector-emitter saturation voltageIC =IPCEmin1)×0.3,Ee = 0.1 mW/cm21)1)

150150150150mVIPCEminist der minimale Fotostrom der jeweiligen GruppeIPCEminis the min. photocurrent of the specified group

Directional characteristicsSrel=f (ϕ)Semiconductor Group4

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Relative spectral sensitivity, SFH 320Srel=f (λ)Total power dissipationPtot =f (TA)Dark current

ICEO =f (TA),VCE= 5 V, E = 0Semiconductor GroupRelative spectral sensitivity,SFH 320 FASrel=f (λ)Photocurrent

IPCE=f (VCE),Ee = ParameterCapacitance

CCE=f (VCE), f = 1 MHz,E = 05

SFH 320SFH 320 FA

Photocurrent

IPCE=f (Ee),VCE= 5 V

Dark current

ICEO =f (VCE),E = 0

Photocurrent

IPCE/IPCE25o =f (TA),VCE= 5 V