一种射频磁控共溅射制备二次电子发射功能薄膜的方法[发明专利]

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专利名称：一种射频磁控共溅射制备二次电子发射功能薄膜的

方法

专利类型：发明专利

发明人：李晨,张玲,王多书,熊玉卿,王济洲,董茂进,吴伟,王超,

高欢

申请号：CN201310140247.9申请日：20130422公开号：CN103233207A公开日：20130807

摘要：本发明涉及一种射频磁控共溅射制备二次电子发射功能薄膜的方法，属于功能薄膜制备领域。所述方法具体包括清洁真空室、清洗基片、装基片、真空室抽真空、等离子体清洗靶材和二次电子发射薄膜沉积六个步骤。采用所述方法制备的二次电子发射薄膜不但具有高的二次电子发射率，而且具有良好的抗溅射能力。

申请人：兰州空间技术物理研究所

地址：730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号

国籍：CN

代理机构：北京理工大学专利中心

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