金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN200810082457.6 （22）申请日 2008.03.06 （71）申请人 株式会社电装

地址 日本爱知县

（10）申请公布号 CN101261946B

（43）申请公布日 2010.06.02

（72）发明人 富坂学;小岛久稔;新美彰浩 （74）专利代理机构 永新专利商标代理有限公司

代理人 王英

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件

（57）摘要

本发明涉及金属电极形成方法和具有

金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否

在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。 法律状态

法律状态公告日

2008-09-10 2008-09-10 2008-10-29 2008-10-29 2010-06-02 2010-06-02 2020-03-10

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

权利要求说明书

金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件的说明书内容是....请下载后查看