压电薄膜器件及其制造方法以及压电薄膜装置[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：压电薄膜器件及其制造方法以及压电薄膜装置专利类型：发明专利

发明人：末永和史,柴田宪治,佐藤秀树,野本明申请号：CN201080065779.5申请日：20101221公开号：CN102823007A公开日：20121212

摘要：一种压电薄膜器件，其特征在于，其为在基板上至少配置有下部电极、用通式

(NaKLi)NbO（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z=1）表示的压电薄膜、以及上部电极的压电薄膜层叠体，所述压电薄膜具有准立方晶、正方晶或正交晶的晶体结构，或者为这些所述晶体结构中的至少一种共存的状态，在它们的晶轴中2轴以下的某些特定轴优先取向，并且作为所述取向的晶轴的成分，在（001）成分和（111）成分的比率中，以这两者的总计为100%时，（001)成分的体积分数在60%以上且100%以下的范围内，（111）成分的体积分数在0%以上且40%以下的范围内。

申请人：日立电线株式会社

地址：日本国东京都

国籍：JP

代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)

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