(12)发明专利申请
(21)申请号 CN201911390804.6 (22)申请日 2019.12.30
(71)申请人 晶能光电(江西)有限公司
地址 330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号
(10)申请公布号 CN111106210A
(43)申请公布日 2020.05.05
(72)发明人 彭翔;封波;赵汉民 (74)专利代理机构
代理人
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
()发明名称
Mini LED芯片制备方法
(57)摘要
本发明提供了一种Mini LED芯片制备方
法,包括:S1在硅衬底表面依次制备GaN结构和p型欧姆接触层;GaN结构中包括n型GaN层、量子阱结构及p型GaN层;S2于N电极处对p型欧姆接触层和GaN结构进行蚀刻直至n型GaN层;S3对管芯边缘的GaN结构进一步蚀刻直至硅衬底;S4在步骤S3得到的结构表面生长绝缘层;S5分别对n型GaN层和p型欧姆接触层表面的绝缘层进行蚀刻形成N极孔和P极孔,并在N极孔
和P极孔上分别形成N‑Pad层和P‑Pad层;S6于步骤S5得到的结构表面涂覆支撑层,覆盖N‑Pad层和P‑Pad层;S7去除硅衬底并转移至支撑膜上;S8对支撑层进行减薄直至N‑Pad层和P‑Pad层;S9切割得到单颗Mini LED芯片,完成Mini LED芯片的制备。有效解决现有Mini LED芯片制备过程中晶圆片易破片等技术问题。
法律状态
法律状态公告日
2020-05-05
法律状态信息
公开
法律状态
公开
权利要求说明书
Mini LED芯片制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
Mini LED芯片制备方法的说明书内容是....请下载后查看
因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容
Copyright © 2019- kqyc.cn 版权所有 赣ICP备2024042808号-2
违法及侵权请联系:TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com
本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务