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Mini LED芯片制备方法

来源:客趣旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201911390804.6 (22)申请日 2019.12.30

(71)申请人 晶能光电(江西)有限公司

地址 330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

(10)申请公布号 CN111106210A

(43)申请公布日 2020.05.05

(72)发明人 彭翔;封波;赵汉民 (74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

()发明名称

Mini LED芯片制备方法

(57)摘要

本发明提供了一种Mini LED芯片制备方

法,包括:S1在硅衬底表面依次制备GaN结构和p型欧姆接触层;GaN结构中包括n型GaN层、量子阱结构及p型GaN层;S2于N电极处对p型欧姆接触层和GaN结构进行蚀刻直至n型GaN层;S3对管芯边缘的GaN结构进一步蚀刻直至硅衬底;S4在步骤S3得到的结构表面生长绝缘层;S5分别对n型GaN层和p型欧姆接触层表面的绝缘层进行蚀刻形成N极孔和P极孔,并在N极孔

和P极孔上分别形成N‑Pad层和P‑Pad层;S6于步骤S5得到的结构表面涂覆支撑层,覆盖N‑Pad层和P‑Pad层;S7去除硅衬底并转移至支撑膜上;S8对支撑层进行减薄直至N‑Pad层和P‑Pad层;S9切割得到单颗Mini LED芯片,完成Mini LED芯片的制备。有效解决现有Mini LED芯片制备过程中晶圆片易破片等技术问题。

法律状态

法律状态公告日

2020-05-05

法律状态信息

公开

法律状态

公开

权利要求说明书

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说明书

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