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Mini LED芯片制备方法

来源：客趣旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201911390804.6 （22）申请日 2019.12.30

（71）申请人晶能光电(江西)有限公司

地址 330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

（10）申请公布号 CN111106210A

（43）申请公布日 2020.05.05

（72）发明人彭翔;封波;赵汉民（74）专利代理机构

代理人

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

Mini LED芯片制备方法

（57）摘要

本发明提供了一种Mini LED芯片制备方

法，包括：S1在硅衬底表面依次制备GaN结构和p型欧姆接触层；GaN结构中包括n型GaN层、量子阱结构及p型GaN层；S2于N电极处对p型欧姆接触层和GaN结构进行蚀刻直至n型GaN层；S3对管芯边缘的GaN结构进一步蚀刻直至硅衬底；S4在步骤S3得到的结构表面生长绝缘层；S5分别对n型GaN层和p型欧姆接触层表面的绝缘层进行蚀刻形成N极孔和P极孔，并在N极孔

和P极孔上分别形成N‑Pad层和P‑Pad层；S6于步骤S5得到的结构表面涂覆支撑层，覆盖N‑Pad层和P‑Pad层；S7去除硅衬底并转移至支撑膜上；S8对支撑层进行减薄直至N‑Pad层和P‑Pad层；S9切割得到单颗Mini LED芯片，完成Mini LED芯片的制备。有效解决现有Mini LED芯片制备过程中晶圆片易破片等技术问题。

法律状态

法律状态公告日

2020-05-05

法律状态信息

公开

法律状态

公开

权利要求说明书

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说明书

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