利用深亚微米技术制造高电压装置的方法[发明专利]

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专利名称：利用深亚微米技术制造高电压装置的方法专利类型：发明专利发明人：高荣正

申请号：CN200710039437.6申请日：20070412公开号：CN1012851A公开日：20081015

摘要：本发明一种利用深亚微米技术制造高电压装置的方法，于源/漏极内之高浓度离子区(第一离子区及第二离子区)上与门极结构上，设有图案化金属硅化物层。位于第一离子区及第二离子区上的图案化金属硅化物层的水平宽度，小于第一离子区及第二离子区的水平宽度。此种栅极结构能保持原有的高击穿电压的特性，于栅极结构上及第一离子区及第二离子区上的图案化金属硅化物，可以降低与外部导电层连接时的接触电阻，增加与硅基板的附着性。

申请人：上海宏力半导造有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

国籍：CN

代理机构：上海光华专利事务所

代理人：余明伟

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