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wlcsp工艺流程

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wlcsp工艺流程

WLCSP阶段:1. Backside Grind

在wafer正面(球面)贴上一层蓝膜,保护锡球,然后在Wafer背面用磨轮磨至wafer指定厚度

2、 Wafer Backside Coating

在wafer背面刷一层背胶。目的是为了增强wafer的硬度,避免容易造成chipping。然后在一定温度下进行烘烤。(这一步选做,可做可不做)

3、 Marking(丝印)

在wafer背面按照产品要求打上Marking,包括公司Logo,生产日期,产品批次等相关信息。

4、Wafer Saw

Wafer切割。将打好丝印的wafer切割成一粒一粒的芯片。在切割之前,需在wafer背面贴上蓝膜,目的是为切割后的单颗芯片提供保护,不会散落。

5、Tape & Reel

先由顶针将切割后的芯片从蓝膜上一颗一颗顶起,然后由吸嘴吸起来,放在编带中进行卷带,最后包装出货。

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